由于电子设备的小型化与高密度集成结构技术发展，在半导体封装的故障分析上对应各种各样的分析条件和优化分析 环境的系统的需求越来越多。 TS9001TDR系统通过利用Advantest自主研发的短脉冲信号处理技术的高分辨率的TDR测量（时域反射测量）， 高速高精度的无损分析，检测出先进半导体封装内的布线故障定位。 另外，我们的TS9001系统可与客户所持有/选定的高频探针系统连接， 为测试体形状（晶圆，IC）和故障分析环境提供灵活的解决方案。

主要特点：

高速&高分辨率测量 

• 可对应面积阵列封装BGA，晶圆等级，2.5D/3.5D等先进封装的 失效分析 

• 故障定位的分辨率 可达到5μm以下 

• 测量所要时间 30sec（平均1024次，与本公司现有的产品相比快 了1/10）

自动TDR测量 

• 通过使用自动扎针（Touch Down）功能，可实现精确的可重复测量， 减少人为误差 

温度调节功能 

• 通过与带有加热系统功能的高频探针系统的连接，可以将样品在低 温/高温的状态下进行故障分析（失效分析）评估 

可提供多种分析软件 

• 提供CAD Data Link（故障位置指示软件），可在CAD数据上的显示 故障区域。（可选项）

主要技术指标：

• 故障区域检分辨率： <5μm @0 to 800ps, <10μm@800 to 1500ps 时间范围 

• 脉冲上升时间：（响应时间） <12ps 

• 最大测量距离： 100mm@相对介电常数=5 

• 测量时间： 30sec@1个测量点（不包括自动扎针Touch Down，1024次测量的平均） 

• 下针方式： 选用External Prober Control时是自动的

• TDR分析软件： 标准搭配 

• CAD Data Link： 可选配 

• External Prober Control ：可选配

主要应用：

• 对尖端半导体封装（如倒装芯片BGA、晶圆级封装和2.5D/3D IC封装）、电子元件和印刷电路板中的导线故障区域进行快速、高精度和无损分析。